我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术

　　2024年9月10日，国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心暨国家电力投资集团公司下属核力创芯（无锡）科技有限公司完成首批高能氢离子注入芯片产品交付，产品各项性能指标达到国际先进水平，标志着我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，打通了我国功率芯片产业链关键一环。

　　目前，该研发中心在江苏无锡建设的国内首条功率芯片高能氢离子注入生产线已建成投运。项目团队以2年时间集智攻关，突破多项关键核心技术，完成自主研制的氢离子注入专用加速器调试出束，实现100％技术自主和装备零部件国产化，并完成首批800片芯片交付。

　　据介绍，功率芯片是现代电力电子设备的核心部分，广泛应用于军工、新能源、航空航天、轨道交通、特高压输变电等领域。光刻、刻蚀和离子注入是芯片制造三大关键环节，其中氢离子注入是实现离子注入的高精尖技术，对于提高电力电子设备性能、效率和可靠性至关重要。此前，由于我国氢离子注入核心技术及装备缺失，国产功率芯片可靠性难以突破，一度成为制约我国功率芯片产业高端化发展的关键"卡脖子"问题。国家原子能机构充分发挥核技术优势，瞄准功率芯片氢离子注入关键技术，依托涉核企事业单位在加速器、材料辐照等核领域技术优势，积极赋能功率芯片研制，助力产业转型升级，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

　　来源 | 国家原子能机构网站

　　审核 | 卢长银

　　编辑 | 向歆悦

　　校对 | 郭炜桐